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超大规模集成（VLSI）是通过将成千上万的晶体管合并到一个芯片中来创造集成电路（IC）的过程。VLSI开始于20世纪70年代，当时正在开发复杂的半导体和通信技术。微处理器就是一个VLSI设备。
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电子工程代写|超大规模集成电路系统代写Introduction to VLSI Systems代考|nMOS Transistors
The physical structure of an nMOS transistor is basically composed of a metal-oxidesilicon (MOS) system and two $n^{+}$regions on the surface of a p-type silicon substrate, as depicted in Figure 1.7(a). The MOS system is a sandwich structure where a dielectric (an insulator) is inserted between a metal or a polysilicon and a p-type substrate. The metal or polysilicon is called the gate. The two $n^{+}$regions on the surface of the substrate are referred to as drain and source, respectively.
The operation of an nMOS transistor can hee illustrated by Figure $1.7(\mathrm{a})$. When a large enough positive voltage $V_{G S}$ is applied to the gate (electrode), electrons are attracted toward the silicon surface from the $p$-type substrate due to a positive electric field being built on the silicon surface by the gate voltage. These electrons form a channel between the drain and source. The minimum voltage $V_{G S}$ inducing the channel is defined as the threshold voltage, denoted $V_{T n}$, of the nMOS transistor. The value of $V_{T n}$ ranges from $0.3 \mathrm{~V}$ to $0.7 \mathrm{~V}$ for the present submicron and deep-submicron processes, depending on a particular process of interest.
For digital applications, an nMOS transistor can be thought of as a simple switch element. The switch is turned on when the gate voltage is greater than or equal to its threshold voltage and turned off otherwise. Due to the symmetric structure of an nMOS transistor, either of $n^{+}$regions can be used as the source or drain, depending on how the operating voltage is applied. One with more positive voltage is the drain and the other is the source because the carriers on the nMOS transistor are electrons.
Figure $1.7$ (b) shows the circuit symbols that are often used in circuit designs. The one with an explicit arrow associated with the source electrode is often used in analog applications, where the roles of source and drain are fixed. The other without an explicit arrow is often used in digital applications because the roles of the drain and source will be dynamically determined by the actual operating conditions of the circuit. The switch circuit model is depicted in Figure $1.7(\mathrm{c})$.
电子工程代写|超大规模集成电路系统代写Introduction to VLSI Systems代考|pMOS Transistors
Likewise, the physical structure of a pMOS transistor comprises a MOS system and two $p^{+}$regions on the surface of an $n$-type silicon substrate, as depicted in Figure $1.8(\mathrm{a})$. The MOS system is a sandwich structure where a dielectric (an insulator) is inserted between a metal or polysilicon and an $n$-type substrate. The metal or polysilicon is called a gate. The two $p^{+}$regions on the surface of substrate are referred to as the drain and source, respectively.
The operation of a pMOS transistor can be illustrated by Figure 1.8(a). When a large negative voltage $V_{G S}$ is applied to the gate (electrode), holes are attracted toward the silicon surface from the $n$-type substrate due to a negative electric field being built on the silicon surface by the gate voltage. These holes form a channel between the drain and source. The minimum voltage $\left|V_{G S}\right|$ inducing the channel is defined as the threshold vollage, denoted $V_{T p}$, of the pMOS Lransistor. The value of $V_{T p}$ ranges from $-0.3 \mathrm{~V}$ to $-0.7 \mathrm{~V}$ for the present submicron and deep-submicron processes, depending on a particular process of interest.
Like an nMOS transistor, a pMOS transistor can be regarded as a simple switch element for digital applications. The switch is turned on when the gate voltage is less than or equal to its threshold voltage and turned off otherwise. Due to the symmetric structure of a pMOS transistor, either of $p^{+}$regions can be used as the source or drain, depending on how the operating voltage is applied. One with more positive voltage is the source and the other is the drain since the carriers on the pMOS transistor are holes.
Figure 1.8(b) shows the circuit symbols that are often used in circuit designs. The symbol convention of pMOS transistors is exactly the same as that of nMOS transistors. The one with an explicit arrow associated with the source electrode is often used in analog applications in which the roles of source and drain are fixed. The other without an explicit arrow but with a circle at the gate is often used in digital applications because the roles of drain and source will be dynamically determined by the actual operating conditions of the circuit. The circle is used to distinguish it from the nMOS transistor and to indicate that the pMOS transistor is at active-low cnable. The switch circuit model is depicted in Figure $1.8(\mathrm{c})$.
超大规模集成电路系统代考
电子工程代写|超大规模集成电路系统代写Introduction to VLSI Systems代考|nMOS Transistors
nMOS晶体管的物理结构基本上由一个金属氧化物硅（MOS）系统和两个n+p 型硅衬底表面上的区域，如图 1.7(a) 所示。MOS系统是一种夹层结构，其中在金属或多晶硅和p型衬底之间插入了电介质（绝缘体）。金属或多晶硅称为栅极。他们俩n+衬底表面上的区域分别称为漏极和源极。
nMOS晶体管的操作可以用图来说明1.7(一个). 当足够大的正电压在G小号施加到栅极（电极），电子从硅表面被吸引p型衬底由于栅极电压在硅表面上建立了正电场。这些电子在漏极和源极之间形成通道。最低电压在G小号诱导通道被定义为阈值电压，表示在吨n, nMOS 晶体管。的价值在吨n范围从0.3 在至0.7 在对于目前的亚微米和深亚微米工艺，取决于感兴趣的特定工艺。
对于数字应用，nMOS 晶体管可以被认为是一个简单的开关元件。当栅极电压大于或等于其阈值电压时，开关打开，否则关闭。由于 nMOS 晶体管的对称结构，n+区域可用作源极或漏极，具体取决于施加工作电压的方式。一个具有更大正电压的是漏极，另一个是源极，因为 nMOS 晶体管上的载流子是电子。
数字1.7(b) 显示了电路设计中经常使用的电路符号。与源电极相关的带有明确箭头的箭头通常用于模拟应用中，其中源极和漏极的角色是固定的。另一个没有明确箭头的通常用于数字应用中，因为漏极和源极的角色将由电路的实际工作条件动态确定。开关电路模型如图所示1.7(C).
电子工程代写|超大规模集成电路系统代写Introduction to VLSI Systems代考|pMOS Transistors
同样，pMOS 晶体管的物理结构包括一个 MOS 系统和两个p+表面上的区域n型硅衬底，如图所示1.8(一个). MOS系统是一种夹层结构，其中在金属或多晶硅和金属之间插入了电介质（绝缘体）。n型基板。金属或多晶硅称为栅极。他们俩p+衬底表面上的区域分别称为漏极和源极。
图 1.8(a) 可以说明 pMOS 晶体管的操作。当一个大的负电压在G小号被施加到栅极（电极），空穴被吸引到硅表面从n型衬底由于栅极电压在硅表面上建立了负电场。这些孔在漏极和源极之间形成通道。最低电压|在G小号|诱导通道被定义为阈值电压，表示为在吨p，的 pMOS 晶体管。的价值在吨p范围从−0.3 在至−0.7 在对于目前的亚微米和深亚微米工艺，取决于感兴趣的特定工艺。
与 nMOS 晶体管一样，pMOS 晶体管可被视为数字应用的简单开关元件。当栅极电压小于或等于其阈值电压时，开关打开，否则关闭。由于 pMOS 晶体管的对称结构，p+区域可用作源极或漏极，具体取决于施加工作电压的方式。由于 pMOS 晶体管上的载流子是空穴，因此具有更大正电压的一个是源极，另一个是漏极。
图 1.8(b) 显示了电路设计中经常使用的电路符号。pMOS晶体管的符号约定与nMOS晶体管的符号约定完全相同。与源电极相关的带有明确箭头的箭头通常用于源极和漏极的角色固定的模拟应用中。另一个没有明确箭头但在栅极有一个圆圈的方法通常用于数字应用中，因为漏极和源极的角色将由电路的实际工作条件动态确定。圆圈用来与nMOS晶体管区分开来，表示pMOS晶体管处于低电平有效。开关电路模型如图所示1.8(C).
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随机过程代考
在概率论概念中，随机过程是随机变量的集合。 若一随机系统的样本点是随机函数，则称此函数为样本函数，这一随机系统全部样本函数的集合是一个随机过程。 实际应用中，样本函数的一般定义在时间域或者空间域。 随机过程的实例如股票和汇率的波动、语音信号、视频信号、体温的变化，随机运动如布朗运动、随机徘徊等等。
贝叶斯方法代考
贝叶斯统计概念及数据分析表示使用概率陈述回答有关未知参数的研究问题以及统计范式。后验分布包括关于参数的先验分布，和基于观测数据提供关于参数的信息似然模型。根据选择的先验分布和似然模型，后验分布可以解析或近似，例如，马尔科夫链蒙特卡罗 (MCMC) 方法之一。贝叶斯统计概念及数据分析使用后验分布来形成模型参数的各种摘要，包括点估计，如后验平均值、中位数、百分位数和称为可信区间的区间估计。此外，所有关于模型参数的统计检验都可以表示为基于估计后验分布的概率报表。
广义线性模型代考
广义线性模型（GLM）归属统计学领域，是一种应用灵活的线性回归模型。该模型允许因变量的偏差分布有除了正态分布之外的其它分布。
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多元统计分析代考
基础数据: $N$ 个样本， $P$ 个变量数的单样本，组成的横列的数据表
变量定性: 分类和顺序；变量定量：数值
数学公式的角度分为: 因变量与自变量
时间序列分析代写
随机过程，是依赖于参数的一组随机变量的全体，参数通常是时间。 随机变量是随机现象的数量表现，其时间序列是一组按照时间发生先后顺序进行排列的数据点序列。通常一组时间序列的时间间隔为一恒定值（如1秒，5分钟，12小时，7天，1年），因此时间序列可以作为离散时间数据进行分析处理。研究时间序列数据的意义在于现实中，往往需要研究某个事物其随时间发展变化的规律。这就需要通过研究该事物过去发展的历史记录，以得到其自身发展的规律。
回归分析代写
多元回归分析渐进（Multiple Regression Analysis Asymptotics）属于计量经济学领域，主要是一种数学上的统计分析方法，可以分析复杂情况下各影响因素的数学关系，在自然科学、社会和经济学等多个领域内应用广泛。
MATLAB代写
MATLAB 是一种用于技术计算的高性能语言。它将计算、可视化和编程集成在一个易于使用的环境中，其中问题和解决方案以熟悉的数学符号表示。典型用途包括：数学和计算算法开发建模、仿真和原型制作数据分析、探索和可视化科学和工程图形应用程序开发，包括图形用户界面构建MATLAB 是一个交互式系统，其基本数据元素是一个不需要维度的数组。这使您可以解决许多技术计算问题，尤其是那些具有矩阵和向量公式的问题，而只需用 C 或 Fortran 等标量非交互式语言编写程序所需的时间的一小部分。MATLAB 名称代表矩阵实验室。MATLAB 最初的编写目的是提供对由 LINPACK 和 EISPACK 项目开发的矩阵软件的轻松访问，这两个项目共同代表了矩阵计算软件的最新技术。MATLAB 经过多年的发展，得到了许多用户的投入。在大学环境中，它是数学、工程和科学入门和高级课程的标准教学工具。在工业领域，MATLAB 是高效研究、开发和分析的首选工具。MATLAB 具有一系列称为工具箱的特定于应用程序的解决方案。对于大多数 MATLAB 用户来说非常重要，工具箱允许您学习和应用专业技术。工具箱是 MATLAB 函数（M 文件）的综合集合，可扩展 MATLAB 环境以解决特定类别的问题。可用工具箱的领域包括信号处理、控制系统、神经网络、模糊逻辑、小波、仿真等。